Изменить стиль страницы

  Борьбу против оппортунистических группировок и течений вело большинство членов ЦК РКП(б), возглавляемое В. И. Лениным. Решающее значение для разоблачения оппортунистической сущности оппозиционных группировок, их дезорганизаторской, раскольнической деятельности имели статьи и выступления Ленина, помогавшие коммунистам и беспартийным разобраться в дискуссии: его речь 30 декабря 1920 «О профессиональных союзах, о текущем моменте и об ошибках т. Троцкого» (1921), статья «Кризис партии» (1921) и брошюра «Ещё раз о профсоюзах, о текущем моменте и об ошибках тт. Троцкого и Бухарина» (1921). Ленин показал значение профсоюзов как воспитательной организации, как школы управления, школы хозяйничанья, школы коммунизма, как одного из важнейших звеньев, связывающих партию с массами. Он глубоко обосновал необходимость проведения профсоюзной работы прежде всего методом убеждения. Подавляющее большинство членов партии сплотилось вокруг ленинской линии ЦК РКП(б), и оппозиционеры повсеместно потерпели полное поражение. Десятый съезд РКП (б) (март 1921) подвёл итоги дискуссии, принял ленинскую платформу и осудил взгляды оппозиционных групп. В специальной резолюции «О единстве партии», принятой по предложению Ленина, съезд предписал немедленно распустить все оппозиционные группы и не допускать впредь каких-либо фракционных выступлений в рядах партии. Идейный разгром антипартийных групп во время дискуссии имел огромное значение для осуществления перехода к нэпу, для укрепления единства партии и дальнейшего развития советских профсоюзов. Ленинские указания о роли профсоюзов как школе коммунизма являются и ныне одним из важнейших принципов политики КПСС в отношении профсоюзов.

  Лит.: Ленин В. И., О профессиональных союзах, о текущем моменте и об ошибках т. Троцкого, Полн. собр. соч., 5 изд., т. 42; его же, Кризис партии, там же; его же, Доклад о роли и задачах профессиональных союзов на заседании коммунистической фракции съезда 23 января. Заключительное слово по докладу о роли и задачах профессиональных союзов на заседании коммунистической фракции съезда 24 января. [II Всероссийский съезд горнорабочих 25 января — 2 февраля 1921], там же; его же, Ещё раз о профсоюзах, о текущем моменте и об ошибках тт. Троцкого и Бухарина, там же; его же, Речь при открытии съезда 8 марта. Отчёт о политической деятельности ЦК РКП(б) 8 марта. Заключительное слово по отчёту ЦК РКП(б) 9 марта. Речь о профессиональных союзах 14 марта. Доклад об единстве партии и анархо-синдикалистском уклоне 16 марта. Речь при закрытии съезда 16 марта. [X съезд РКП(б) 8—16 марта 1921], там же, т. 43; Резолюции Х съезда РКП(б): О единстве партии, О синдикалистском и анархистском уклоне в нашей партии, О роли и задачах профсоюзов, в кн.: КПСС в резолюциях и решениях съездов, конференций и пленумов ЦК, 8 изд., т. 2, М., 1970.

  М. Ф. Андерсон.

Дислокальный брак

Дислока'льный брак (от дис... и лат. locus — место), обычай раздельного проживания супругов (каждого в своей родственной группе). По мнению некоторых учёных, Д. б. восходит к эпохе перехода от матриархата к патриархату. Был распространён у ряда племён Азии, Океании, Африки, Северной и Южной Америки; у наяров Индии сохранялся до 20 в. Пережиточными формами Д. б. иногда считаются: проживание у многих племён мира мужчин в отдельных мужских домах; наличие раздельных жилищ у жены с детьми и у мужа; обычай временного раздельного проживания супругов в первый период после заключения брака; деление семейных жилищ на женскую и мужскую половину и др.

Дислокации (в кристаллах)

Дислока'ции в кристаллах, дефекты кристалла, представляющие собой линии, вдоль и вблизи которых нарушено характерное для кристалла правильное расположение атомных плоскостей. Д. и другие дефекты в кристаллах определяют многие физические свойства кристаллов, называемые структурно-чувствительными. В частности, механические свойства кристаллов — прочность и пластичность — обусловлены существованием Д. и их особенностями.

  Типы Д. Простейшими видами Д. являются краевая и винтовая Д. В идеальном кристалле соседние атомные плоскости параллельны на всём своём протяжении. В реальном кристалле атомные плоскости часто обрываются внутри кристалла (рис. 1, а), при этом возникает краевая Д., осью которой является край «лишней» полуплоскости. Применение электронных микроскопов с большой разрешающей способностью позволяет наблюдать в некоторых кристаллах специфичное для краевой Д. расположение атомных рядов.

  Образование краевой Д. можно представить себе, если надрезать кристалл по части плоскости ABCD (рис. 1, б), сдвинуть нижнюю часть относительно верхней на одно межатомное расстояние b в направлении, перпендикулярном к АВ, а затем вновь соединить атомы на противоположных краях разреза. Оставшаяся лишняя полуплоскость обрывается вдоль краевой Д. АВ. Вектор b, величина которого равна межатомному расстоянию, называется вектором сдвига (вектор Бюргерса). Плоскость, проходящая через вектор сдвига и линию Д., называется плоскостью скольжения краевой Д.

  Если направление сдвига b не перпендикулярно, а параллельно границе надреза АВ, то получается винтовая Д. (рис. 2, а). В отличие от краевой Д., у винтовой Д. плоскостью скольжения является любая кристаллографическая плоскость, проходящая через линию АВ. Кристалл с винтовой Д. уже не состоит из параллельных атомных плоскостей, скорее его можно рассматривать состоящим из одной атомной плоскости, закрученной в виде геликоида или винтовой лестницы без ступенек (рис. 2, б). На рис. 2а, показано расположение атомов выше (белые кружки) и ниже (чёрные кружки) плоскости скольжения в простой кубической решётке с винтовой Д. Если винтовая Д. выходит на внешнюю поверхность кристалла, то в точке выхода А (рис. 2, б) обрывается ступенька AD высотой в толщину одного атомного слоя. Эта ступенька активно проявляет себя в процессе кристаллизации. Атомы вещества, выпадающие из пара или раствора, легко присоединяются к ступеньке на поверхности растущего кристалла. Количество атомов, захватываемых ступенькой, и скорость смещения ступеньки по поверхности кристалла больше вблизи выхода Д. Поэтому ступенька закручивается вокруг оси Д. Ступенька последовательно поднимается с одного кристаллического «этажа» на другой, что приводит к спиральному росту кристалла.

  Между предельными случаями краевой и винтовой Д. возможны любые промежуточные, в которых линия Д. составляет произвольный угол с вектором сдвига (смешанная Д.). Линия Д. не обязательно должна быть прямой, она может представлять собой произвольную кривую. Линии Д. не могут обрываться внутри кристалла, они должны либо быть замкнутыми, образуя петли, либо разветвляться на несколько Д., либо выходить на поверхность кристалла. Плотность Д. в кристалле определяется как среднее число линий Д., пересекающих проведённую внутри тела площадку в 1 см2, или как суммарная длина Д. в 1 см3. Плотность Д. обычно колеблется от 102 до 103 на 1 см2 в наиболее совершенных монокристаллах и доходит до 1011—1012 на 1 см2 в сильно искажённых (наклёпанных) металлах (см. ниже).

  Д. — источники внутренних напряжений. Участки кристалла вблизи Д. находятся в упруго напряжённом состоянии. Напряжения убывают обратно пропорционально расстоянию от Д. Поля напряжений вблизи отдельных Д. выявляются (в прозрачных кристаллах с низкой плотностью Д.) с помощью поляризованного света (см. Фотоупругость). В зависимости от взаимной ориентации векторов сдвига двух Д. они притягиваются или отталкиваются. При сближении двух Д. с одинаковыми векторами сдвига (рис. 3, а) увеличивается сжатие кристалла по одну сторону от плоскости скольжения и растяжение — по другую сторону. При сближении Д. с противоположными векторами сдвига сжатие и растяжение по обе стороны от плоскости скольжения взаимно компенсируются (рис. 3, б, в, г). Величина упругой энергии, обусловленной полем напряжений Д., пропорциональна b2 и составляет обычно величину ~ 10-4 эрг на 1 см длины Д.