При соединении атомов в молекулы или при создании из атомов кристаллической решётки, электронные облака разных атомов создают общие системы, которые более устойчивы. При этом систему образуют два электрона, имеющие так называемые, разные спины. Это связано с разным типом искривления мерности микрокосмоса, что приводит к прогибу пространства как в одну, так и в другую сторону относительно нулевого (балансного) уровня.
Электронные структуры соседних атомов сливаются в единую замкнутую систему. Наружные электронные оболочки отдельных атомов не заполнены до баланса. Если атом имеет нечётное число «наружных» электронов, то атом — неустойчив. Когда атомы соединяются в единую систему, каждые два атома отдают по одному «свободному» электрону для образования общей устойчивой системы. Условно электрон, движущийся по часовой стрелке вокруг ядра, определяется, как имеющий положительный спин, а движущийся против часовой стрелки — отрицательный спин (см. Рис. 146, Рис. 146а, Рис. 147).
Рис. 146 — отрицательный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства первого типа.
1. Электрон.
3. Краевая зона искривления пространства первого типа.
Рис. 146а — положительный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства второго типа.
2. Электрон.
4. Краевая зона искривления пространства второго типа.
Рис. 147 — образование электронной пары при соединении атомов в молекулы.
1. Электрон, имеющий отрицательный спин.
2. Электрон, имеющий положительный спин.
3. Краевая зона искривления первого типа.
4. Краевая зона искривления второго типа.
Соединяясь в молекулы, создавая кристаллические решётки, атомы переходят в более устойчивое состояние. Особенно интересны создаваемые атомами кристаллические решётки. Разные типы кристаллических решёток, имеющие особенности электронных систем, образуют собой три группы: проводники, полупроводники и изоляторы. Различие свойств связано со степенью устойчивости электронных структур.
У проводников общие электронные системы нестабильны, постоянно образуются и распадаются. Вся такая система постоянно находится в движении, правда это движение хаотично. Если тем или иным способом создать направленное воздействие на проводники (приложить напряжение), возникает электрический ток.
Но, что самое интересное, электроны не двигаются в проводнике. Внешнее воздействие (поле) увеличивает степень неустойчивости электронов, они распадаются и материи, их образующие, перетекают на эфирный уровень, где продолжают подвергаться воздействию внешнего поля. Внешнее поле вынуждает перетекать эти материи в определённом направлении (внешнее воздействие [поле] влияет на мерность микрокосмоса атомов, что и приводит к перетеканию материй на эфирный план).
При таком вынужденном перетекании эти материи теряют часть своей энергии, что приводит к новому слиянию материи в очередной зоне искривления микрокосмоса атомов. Электрон вновь синтезируется. Таким образом, движение электронов вдоль проводника есть периодическое перетекание материй, их образующих, с физического уровня на эфирный и обратно.
Именно поэтому при соединении в единое целое кристаллических решёток разных типов, (как в случае полупроводников) и при создании необходимых внешних условий, проявляется так называемый, туннельный эффект. Когда расстояние между точкой распада и точкой синтеза электронов составляет от доли миллиметра до нескольких миллиметров. При этом в этом промежутке — зона «затишья» — не происходит перетекание материй с физического уровня на эфирный и обратно. Это явление возникает при резком отличии электронных структур кристаллических решёток, образующих полупроводник (см. Рис. 148).
Рис. 148 — явление туннельного эффекта, вызванное тем, что ядра разных элементов влияют на пространство по-разному. Поэтому на границе, разделяющей вещества разного качественного состава, возникает перепад кривизны пространства, что и создаёт собственно туннельный эффект.
1. Физически плотная сфера.
2. Эфирная сфера.
3. Структура вещества первого типа.
4. Структура вещества второго типа.
5. Сгустки материи, перетекающей через зону неоднородности кривизны пространства.
Очень интересные явления можно наблюдать при образовании разными атомами молекул… При образовании молекул наблюдаются два типа процессов — экзотермические и эндотермические реакции, суть которых заключается в том, что атомы с разными электронными структурами, при образовании молекул, в одном случае поглощают тепловую энергию из окружающего пространства, а в другом случае — излучают эту энергию.
Это связано с тем, что для образования общей системы из нескольких атомов электроны внешних оболочек всех этих атомов должны иметь одинаковый энергетический уровень. Без этого невозможно создание общих электронных пар и соответственно — молекул (см. Рис. 149, Рис. 150).
Рис. 149 — эндотермическая реакция. Поглощение несвязанной в веществе материи из окружающего пространства при образовании молекул, когда присоединяемые атомы имеют недостаток кривизны пространства чтобы соединиться с доминирующим атомом. Когда атомы соединяются в единую систему, каждые два атома отдают по одному «свободному» электрону для образования общей устойчивой системы. Условно электрон, движущийся по часовой стрелке вокруг ядра, определяется, как имеющий положительный спин, а движущийся против часовой стрелки — отрицательный спин.
1. Доминирующий атом.
2. Присоединяемый атом.
J1 — уровень кривизны доминирующего атома.
J2 — уровень кривизны присоединяемого атома.
Е — материя, поглощённая из окружающего пространства.
Рис. 150 — экзотермическая реакция. Высвобождение в окружающую среду части связанной материи при образовании молекул из разных атомов, когда присоединяемые атомы имеют избыток кривизны пространства чтобы соединиться с доминирующим атомом.
1. Доминирующий атом.
2. Присоединяемый атом.
J1 — уровень кривизны доминирующего атома.
J2 — уровень кривизны присоединяемого атома.
Е — материя, высвобождённая в окружающее пространство.
щ) Структура Макрокосмоса
Космос поражает своими размерами и неизвестностью. Все существующие теории пространства основаны на принципе его однородности по всем направлениям. Принципиальное отличие предлагаемой теории макрокосмоса — в рассмотрении его, как неоднородной системы. При этом подходе свойства и качества пространства изменяются непрерывно, в то время как материи, заполняющие это пространство, имеют конкретные свойства и качества. Поэтому, когда материи «накладываются» на пространство, происходит резонирование между ними по общим свойствам и качествам. В результате происходит квантование пространства по материям.