Естественная для писем дидактическая тенденция становится основной функцией в посланиях апостолов и «отцов церкви» (Киприана, Иеронима, Августина, Григория Назианзина и др.). Э. л. — ведущий жанр византийской публицистики: письма Феодора Студита, Николая Мистика, патриарха Фотия. В средневековой Европе межмонастырская переписка была средством публичной богословской полемики. Своеобразным заключением средневековой Э. л., одновременно предваряющим эпоху Реформации, служат «Письма светлых людей» (1514) И. Рейхлина и особенно — «Письма тёмных людей» (1515—17), где пародируется как интимное, так и дидактическое послание. Традицию средневековой публичной полемики продолжают письма Лютера. Образцом русской средневековой публицистики служит переписка Ивана IV с князем Курбским и письма протопопа Аввакума. Для Э. л. Возрождения характерны письма П. Аретино, где специфика переписки формирует сатирические приёмы разоблачения пороков.

  В 17—18 вв. форма Э. л. используется как способ придания непосредственности интеллектуальному общению («Письма провинциала» Б. Паскаля, письма маркизы де Севинье, переписка Вольтера, письма английских государственных деятелей У. Темпла, Г. Болингброка , «Письма к сыну» Ф. Честерфилда).

  Особо следует выделить «Дневник для Стеллы» Дж. Свифта: собрание частных писем, открывающее историю английского социально-психологического романа. После заведомо вымышленных «Персидских писем» (философский роман, 1721) Монтескье эпистолярно-романическое построение становится всё более привычным в европейских литературах: романы «Памела» и «Кларисса» С. Ричардсона, «Путешествие Хамфри Клинкера» Т. Смоллетта, «Юлия, или Новая Элоиза» Ж. Ж. Руссо, «Страдания молодого Вертера» Гёте.

  Очерково-документальные «Письма русского путешественника» Н. М. Карамзина и письма из Франции Д. И. Фонвизина П. И. Панину («Записки первого путешествия», 1777—78) положили начало освоению традиций Э. л. в России. Её развивал И. М. Муравьев-Апостол («Письма из Москвы в Нижний Новгород», 1813—14) и стремился «влить» в беллетристику А. С. Пушкин («Роман в письмах», «Мария Шонинг»). Дидактическое направление Э. л. продолжал М. С. Лунин («Письма из Сибири»), П. Я. Чаадаев («Философические письма»), Н. В. Гоголь («Выбранные места из переписки с друзьями»), А. И. Герцен («Письма из Франции и Италии»), В. П. Боткин («Письма об Испании»). Опыт и форма Э. л. использованы в художественной повести «Бедные люди» Ф. М. Достоевского.

  В 20 в. сохраняется многообразие видов Э. л. («Опавшие листья» В. В. Розанова и «Столп и утверждение истины» П. А. Флоренского, «Неизвестный друг» И. А. Бунина, и «Zoo. Письма не о любви...» В. Б. Шкловского, «Любовные письма англичанки» Л. Хаусмана, «Письмо к англичанам» Ж. Бернаноса), в том числе и оформленных в беллетристические жанры (повесть «Письмо к заложнику» А. Сент-Экзюпери, романы «Мартовские иды» Т. Уайлдера и «Перед зеркалом» В. Каверина). После 2-й мировой войны 1939—45 с расцветом документальной литературы, актуализируется значение письма как непосредственного, подлинного, лирически насыщенного свидетельства («Письма расстрелянных французских коммунистов», 1948).

  Лит.: Античная эпистолография, М., 1967; Елистратова А. А., Эпистолярная проза романтиков, в кн.: Европейский романтизм, М., 1973; Black F. G., The epistolary novel in the late 18 century, Oregon, 1940; Singer G. F., The epistolary novel, Philadelphia, 1933.

  В. С. Муравьев.

Эпистрофей

Эпистрофе'й (от греч. epistrépho — поворачиваюсь, вращаюсь), второй шейный позвонок у пресмыкающихся, птиц, млекопитающих животных и у человека (у него называется также осевым позвонком). В отличие от других позвонков, на передней (у человека — верхней) поверхности тела имеет зубовидный отросток, вокруг которого вращается первый шейный позвонок — атлант .

Эпитаксия

Эпитакси'я (от эпи... и греч. táxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза .

  Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа корунда и алмаза.

  При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111) Si//[1100] (0001) Al₂ O₃ . Это означает, что грань (111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) кристалла Al₂ O₃ (решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы ).

  Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.

  Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag это~ 600

), нарастает плёнка с собственной структурой.

  Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка.

  Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (100) Au//[100] (100) NaCl и [110] (111) Au //[110] (100) NaCl.

  Э. широко используется в микроэлектронике (транзисторы , интегральные схемы , светодиоды и т. д.); в квантовой электронике — многослойные полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход ), инжекционные лазеры , в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике (магнитные элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п.