Соллогуб Владимир Александрович
Соллогу'б Владимир Александрович [8(20).8.1813, Петербург, — 5(17).6.1882, Гамбург], граф, русский писатель. Окончил Дерптский (Тартуский) университет (1834). В 1837 дебютировал в «Современнике»; с 1839 печатался в «Отечественных записках». В «светских» повестях («Лев», «Медведь», «Большой свет» и др.) с лёгкой иронией изобразил пустоту и суетность великосветского общества. Рассказы «Собачка» и «Воспитанница» написаны в гоголевском направлении. В повести «Тарантас» (1845) в форме путевых очерков даны острые зарисовки быта уездной Руси. После 1845 С. отошёл от передовой литературы. Писал преимущественно водевили («Беда от нежного сердца» и др.), прочно вошедшие в репертуар русских театров. Оставил воспоминания об А. С. Пушкине, Н. В. Гоголе, М. Ю. Лермонтове.
Соч.: Соч., т. 1—5, СПБ, 1855—56; Воспоминания, М. — Л., 1931; Водевили. [Вступ. ст. М. Белкиной], М., 1937; Тарантас, М., 1955; Повести и рассказы. [Вступ. ст. Е. И. Кийко], М. — Л., 1962.
Лит.: Белинский В. Г., Тарантас. Путевые впечатления, Полное собрание соч., т. 9, М., 1955; Добролюбов Н. А., Сочинения графа В. А. Соллогуба, Собр. соч., т. 1, М. — Л., 1961.
Солнечная активность
Со'лнечная акти'вность, совокупность явлений, наблюдаемых на Солнце и связанных с образованием солнечных пятен, факелов, флоккулов, волокон, протуберанцев, возникновением солнечных вспышек, возмущений в солнечной короне, увеличением ультрафиолетового, рентгеновского и корпускулярного излучения и др. Активные образования наблюдаются обычно на ограниченном участке поверхности Солнца — в т. н. активной области Солнца, которая существует от нескольких дней до нескольких месяцев. При зарождении активной области появляются флоккулы (увеличивается яркость в линиях поглощения водорода и ионизованного кальция), а спустя некоторое время (обычно нескольких дней) возникают мелкие пятна. Постепенно количество пятен и их величина возрастают, растет интенсивность и др. проявлений С. а. Избыток излучения в линиях водорода и кальция, характеризующий активную область, сильно увеличивается во время солнечных вспышек. Солнечные вспышки возникают вблизи развивающихся или распадающихся групп пятен и проявляются как внезапное появление эмиссии в сильных линиях поглощения (линии водорода Нa, Нb; линии Н и К ионизованного кальция и др.) и увеличение интенсивности ультрафиолетового и рентгеновского излучения и корпускулярного потока. Повышается также уровень излучения в радиодиапазоне. Слабые вспышки наблюдаются в больших группах пятен почти ежедневно, мощные же вспышки — явление довольно редкое. Продолжительность вспышек — от нескольких минут до нескольких часов. Напряжённость магнитного поля в пятнах достигает нескольких тысяч э.
Интенсивность явлений С. а. характеризуют условными индексами — относительным числом солнечных пятен (Вольфа числа), площадью пятен, площадью и яркостью факелов, флоккулов, волокон и протуберанцев. Средняя годовая величина таких индексов изменяется периодически. Так, числа Вольфа изменяются со средним периодом около 11 лет (период колеблется от 7,5 до 16 лет). Величина максимума 11-летнего цикла изменяется с периодом около 80 лет.
Активные области занимают на диске Солнца два пояса, расположенных параллельно экватору по обе стороны от него. Удаление этих поясов от экватора изменяется также периодически. В начале 11-летнего цикла активные области наиболее удалены от солнечного экватора, а затем постепенно к нему приближаются (к концу цикла средняя гелиографическая широта составляет ± 8°). С. а. оказывает существенное влияние на земные явления (см. Солнечно-земные связи). См. также Солнце.
Лит.: Солнечная система, под ред. Дж. Койпера, пер. с англ., т. 1, М., 1957; Зирин Г., Солнечная атмосфера, пер. с англ., М., 1969.
Э. А. Барановский.
Солнечная батарея
Со'лнечная батаре'я, батарея солнечных элементов, полупроводниковый фотоэлектрический генератор, непосредственно преобразующий энергию солнечной радиации в электрическую. Действие солнечных элементов (СЭ) основано на использовании явления внутреннего фотоэффекта (см. фотоэлемент). Первые СЭ с практически приемлемым кпд преобразования (~6%) были разработаны Г. Пирсоном, К. Фуллером и Д. Чапиным (США) в 1953—54. Большой вклад в развитие теории и практики СЭ внесли В. С. Вавилов, А. П. Ландсман, Н. С. Лидоренко, В. К. Субашиев (СССР); М. Вольф, Дж. Лоферский, М. Принс, П. Рапопорт (США).
Энергетические характеристики С. б. определяются полупроводниковым материалом, конструктивными (структурными) особенностями СЭ, количеством элементов в батарее. Распространённые материалы для СЭ — Si, GaAs; реже используются CdS, CdTe. Наиболее высокий кпд получен в СЭ из Si со структурой, имеющей электронно-дырочный переход (15% при освещении в земных условиях), и в СЭ на основе GaAs с полупроводниковым гетеропереходом (18%).
Конструктивно С. б. обычно выполняют в виде плоской панели из СЭ, защищенных прозрачными покрытиями. Число СЭ в батарее может достигать нескольких сотен тыс., площадь панели — десятков м2, ток С. б. — сотен а, напряжение — десятков в, генерируемая мощность — несколких десятков квт (в космических условиях). Достоинства С. б. — их простота, надёжность и долговечность, малая масса и миниатюрность СЭ, генерирование энергии без загрязнения окружающей среды; основной недостаток, ограничивающий развитие солнечной фотоэнергетики, — их пока ещё (середина 70-х гг.) высокая стоимость.
Главное применение С. б. нашли в космонавтике, где они занимают доминирующее положение среди др. источников автономного энергопитания. С. б. снабжают электроэнергией аппаратуру спутников и системы жизнеобеспечения космических кораблей и станций, а также заряжают электрохимические аккумуляторы, используемые на теневых участках орбиты. В земных условиях С. б. используют для питания устройств автоматики, переносных радиостанций и радиоприёмников, для катодной антикоррозионной защиты нефте- и газопроводов. В СССР, США и Японии работают маяки и навигационные указатели с энергоснабжением от С. б. и автоматически подзаряжаемых ими буферных аккумуляторов. См. также Источники тока и рис. при статьях «Венера», «Марс», «Союз».
Лит.: Преобразование тепла и химической энергии в электроэнергию в ракетных системах, пер. с англ., М., 1963; Успехи СССР в исследовании космического пространства, М., 1968; Васильев А. М., Ландсман А. П., Полупроводниковые фотопреобразователи, М., 1971.
М. М. Колтун.