Рис. 2г. Сверление отверстий лазерным излучением: отверстие в алмазной волоке (толщина кристалла 1,2 мм, минимальный диаметр отверстия 0,08 мм).

Рис. 4. Лазерная резка: а — резка тонкой хромовой резистивной плёнки с целью подгонки сопротивления (толщина плёнки 0,5 мкм, ширина реза, указанного стрелкой, 50 мкм); б — надрезы на стекле, по которым происходит термическое раскалывание (получены лазером на углекислом газе).

Рис. 1б. Лазерная сварка: микрофотография шлифа сварного соединения никелевой фольги толщиной 0,2 мм с медной пластиной.

Рис. 2а. Сверление отверстий лазерным излучением: круглое отверстие диаметром 0,1 мм в пластине из феррита толщиной 0,5 мм.

Рис. 3. Лазерная установка «Квант-9» для сверления отверстий в алмазных волоках: 1 — лазерная головка; 2 — оптическая система; 3 — обрабатываемая деталь; 4 — система управления; 5 — источник питания; 6 — система охлаждения; 7 — стол оператора.

Рис. 1г. Лазерная сварка: полупроводниковые приборы, корпуса которых герметизированы с помощью лазерной сварки.

Рис. 1в. Лазерная сварка: сварной шов, полученный при сварке листов ковара и нержавеющей стали толщиной 0,3 мм излучением лазера на алюмо-иттриевом гранате.

Рис. 5. Типичная блок-схема лазерной технологической установки с твердотельным лазером: 1 — зарядное устройство; 2 — ёмкостной накопитель; 3 — система управления; 4 — блок поджига; 5 — лазерная головка; 6 — система охлаждения; 7 — система стабилизации энергии излучения; 8 — датчик энергии излучения; 9 — оптическая система; 10 — сфокусированный луч лазера; 11 — обрабатываемая деталь; 12 — координатный стол; 13 — система программного управления.

Рис. 2в. Сверление отверстий лазерным излучением: продольное сечение цилиндрических отверстий диаметром 0,05 мм в пластине из феррита.

Рис. 2б. Сверление отверстий лазерным излучением: фигурное отверстие в пластине из нержавеющей стали толщиной 0,3 мм.

Лазерное излучение

Ла'зерное излуче'ние (действие на вещество). Высокая мощность Л. и. в сочетании с высокой направленностью позволяет получать с помощью фокусировки световые потоки огромной интенсивности. Наибольшие мощности излучения получены с помощью твердотельных лазеров на стекле с примесью Nd с длиной волны излучения l = 1,06 мкм и в газовых CO₂ — лазерах с l = 10,6 мкм (см. табл.).

Лазер	сек	дж	вт	вт/см2
22	-3-8-9-11	422	3719111213	771113161516

  Особенности Л. и. привели к открытию целого ряда новых физических явлений, круг которых быстро расширяется по мере увеличения мощности лазеров.

  Развитое испарение металлов. При воздействии на металлы Л. и. (например, импульсов неодимового лазера, длительностью несколько мсек) с плотностью потока излучения 10⁶—10⁸ вт/см² металл в зоне облучения разрушается и на поверхности мишени возникает характерный кратер. Вблизи мишени наблюдается яркое свечение плазменного факела, представляющего собой движущийся пар, нагретый и ионизированный Л. и. Реактивное давление пара, выбрасываемого с поверхности металла, сообщает мишени импульс отдачи (рис. 1).

  Испарение происходит с поверхности тонкого слоя жидкого металла, нагретого до температуры в несколько тыс. градусов. Температура слоя определяется равенством поглощённой энергии и потерь на охлаждение, связанное с испарением. Роль теплопроводности в охлаждении слоя при этом несущественна. В отличие от обычного испарения, такой процесс называется развитым испарением.

  Давление в слое определяется силой отдачи пара и в случае сформировавшегося газодинамического течения пара от мишени составляет ¹/₂ давления насыщенного пара при температуре поверхности. Т. о., жидкий слой является перегретым, его состояние метастабильным. Это позволяет исследовать условия предельного перегрева металлов, при достижении которых происходит бурное объёмное вскипание жидкости. При нагреве до температуры, близкой к критической, в жидком слое металла может происходить скачкообразное уменьшение электропроводности и он приобретает свойства диэлектрика. При этом наблюдается скачкообразное уменьшение коэффициента отражения света.

  Облучение твёрдых мишеней. При облучении практически всех твёрдых мишеней миллисекундными импульсами Л. и. с плотностью потока излучения ~ 10⁷—10⁹ вт/см² в потоке пара от испаряющеися мишени, как и в предыдущем случае, образуется плазма. Температура плазмы 10⁴—10⁵ К. Таким методом возможно получение значительного количества химически чистой плотной низкотемпературной плазмы для заполнения магнитных ловушек и для разного рода технологических целей. Испарение твёрдых мишеней под действием Л. и. широко используется в технике (см. Лазерная технология).

  При фокусировке на твёрдую мишень наносекундных лазерных импульсов с плотностью потока излучения 10¹²—10¹⁴ вт/см² поглощающий слой вещества разогревается так сильно, что сразу превращается в плазму. В этом случае уже нельзя говорить об испарении мишени, границе раздела фаз и т.п. Энергия Л. и. расходуется на нагревание плазмы и продвижение фронта разрушения и ионизации в глубь мишени. Температура плазмы оказывается столь высокой, что в ней образуются многозарядные ионы, в частности Са¹⁶⁺ и др. (рис. 2). Образование ионов такой высокой кратности ионизации до недавнего времени наблюдалось только в излучении солнечной короны. Образование ионов с почти ободранной электронной оболочкой интересно также с точки зрения возможности осуществления в ускорителях многозарядных ионов ядерных реакций на тяжёлых ядрах.

  Лазерная искра (оптический пробой газа). При фокусировке в воздухе при атмосферном давлении лазерного луча с плотностью потока излучения ~ 10¹¹ вт/см² в фокусе линзы наблюдается яркая световая вспышка (рис. 3) и сильный звук. Это явление называется лазерной искрой. Длительность вспышки в 10 и более раз превосходит длительность лазерного импульса (30 нсек). Образование лазерной искры можно представить себе состоящим из 2 стадий: 1) образование в фокусе линзы первичной (затравочной) плазмы, обеспечивающей сильное поглощение Л. и.; 2) распространение плазмы вдоль луча в области фокуса. Механизм образования затравочной плазмы аналогичен высокочастотному пробою газов. Отсюда термин — оптический пробой газа. Для пикосекундных импульсов Л. и. (I~ 10¹³—10¹⁴ вт/см²) образование затравочной плазмы обусловлено также многофотонной ионизацией (см. Многофотонные процессы). Нагревание затравочной плазмы Л. и. и её распространение вдоль луча (навстречу лучу) обусловлено несколькими процессами, одним из которых является распространение от затравочной плазмы сильной ударной волны. Ударная волна за своим фронтом нагревает и ионизирует газ, что, в свою очередь, приводит к поглощению Л. и., т. е. к поддержанию самой ударной волны и плазмы вдоль луча (световая детонация). В др. направлениях ударная волна быстро затухает.