Лит.: Родс Д. Р., Введение в моноимпульсную радиолокацию, пер. с англ., М., 1960; Сколник М., Введение в технику радиолокационных систем, пер. с англ., М., 1965; Современная радиолокация, пер. с англ., М., 1969.

  К. Н. Трофимов.

Рис. 2. Схема определения одной угловой координаты объекта методом сравнения фаз: 1 — отражатель 1-й антенны; 2 — облучатель 1-й антенны; 3 — приёмник 1-го канала; 4 — фазометр; 5 — выход к устройству автоматического сопровождения объекта антенной системой; 6 — приёмник 2-го канала; 7 — отражатель 2-й антенны; 8 — облучатель 2-й антенны. Штрихом показано направление прихода сигналов от объекта, штрих-пунктиром — направление максимумов диаграмм направленности антенн.

Рис. 1. Схема определения одной угловой координаты методом сравнения амплитуд: 1 — отражатель вращающейся антенны; 2 — диаграмма направленности 2-го канала (условное изображение); 3 — облучатель 1-го канала; 4 — приёмник 1-го канала; 5 — устройство сравнения амплитуд; 6 — выход к устройству автоматического сопровождения объекта антенной; 7 — приёмник 2-го канала; 8 — облучатель 2-го канала; 9 — диаграмма направленности 1-го канала (условное изображение). Линией показано направление прихода сигнала от объекта, штрих-пунктиром — равносигнальное направление. Отрезок АО пропорционален амплитуде сигнала в приёмнике 1-го канала. БО — сигналу в приёмнике 2-го канала.

Моноиодуксусная кислота

Моноиоду'ксусная кислота', йодуксусная кислота, йодацетат, ICH₂ COOH, производное уксусной кислоты, содержащее иод; кристаллы с t _пл 82—83 °С. Широко применяется в биохимических и физиологических исследованиях как ингибитор гликолитических и др. ферментов, преимущественно дегидрогеназы глицеральдегидфосфата, катализирующей центральную реакцию брожения и гликолиза . В присутствии М. к. эти процессы останавливаются на стадии динамического равновесия между фруктозо-1,6-дифосфатом и фосфотриозами, т. е. не происходит образования богатого энергией соединения — 1,3-дифосфоглицериновой кислоты. В основе ингибирования ферментативных процессов М. к. лежит её присоединение к сульфгидрильной группе (— SH) фермента с освобождением HI.

  Лит.: Уэбб Л., Ингибиторы ферментов и метаболизма, пер. с англ., М., 1966.

  С. Е. Северин.

Монокарпические растения

Монокарпи'ческие расте'ния (от моно... и греч. karpós — плод), растения, которые цветут и плодоносят раз в жизни, после чего обычно погибают. К М. р. относятся все одно- и двулетние растения, из многолетних — некоторые виды бамбука, пальм, ферулы, агавы и др.

Моноклиналь

Моноклина'ль [от моно... и греч. klínō — наклоняю(сь)], форма залегания слоев горных пород, характеризующаяся их пологим наклоном в одну сторону. Представляет собой обычно крыло какого-либо обширного и пологого поднятия или прогиба слоев. М. особенно характерны для платформ, где они приурочены к крыльям антеклиз и синеклиз. Примером М. является структура, образуемая палеозойскими толщами от южного склона Балтийского кристаллического щита к центру Московской синеклизы; наклон слоев исчисляется в 2—2,5 м на 1 км длины.

Монокль

Моно'кль (франц. monocle, от греч. mо'nos — один и лат. oculus — глаз), 1) очковая линза в оправе или без неё, вставляемая в глазную впадину. 2) Простейший фотографический объектив, представляющий собой одиночную положительную линзу типа мениск . Применялся главным образом в недорогих фотоаппаратах преимущественно для портретной и пейзажной съёмок. Наилучшее качество изображения обеспечивает выпукло-вогнутый мениск, обращенный выпуклой поверхностью к фотослою, с диафрагмой, расположенной перед объективом. М. имеют малое относительное отверстие (не более 1:8) и небольшой угол поля изображения (не более 25°). М. называют также ландшафтной линзой.

Монокорунд

Монокору'нд , искусственный абразивный материал , разновидность электрокорунда с содержанием в зерне 97—98% Al₂ O₃ .

Монокристалл

Монокриста'лл, отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств (см. Кристаллы ). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями кристаллизации . Часто М. приобретает хорошо выраженную естественную огранку, в неравновесных условиях кристаллизации огранка проявляется слабо. Примерами огранённых природных М. могут служить М. кварца , каменной соли , исландского шпата , алмаза , топаза . От М. отличают поликристаллы и поликристаллические агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких М.

  М. ценны как материал, обладающий особыми физическими свойствами. Например, алмаз и боразон предельно тверды, флюорит прозрачен для широкого диапазона длин волн, кварц — пьезоэлектрик (см. Пьезоэлектричество ). М. способны менять свои свойства под влиянием внешних воздействий (света, механических напряжений, электрических и магнитного полей, радиации, температуры, давления). Поэтому изделия и элементы, изготовленные из М., применяются в качестве различных преобразователей в радиоэлектронике, квантовой электронике , акустике, вычислительной технике и др. Первоначально в технике использовались природные М., однако их запасы ограничены, а качество не всегда достаточно высоко. В то же время многие ценные свойства были найдены только у синтетических кристаллов. Поэтому появилась необходимость искусственного выращивания М. Исходное вещество для выращивания М. может быть в твёрдом (в частности, в порошкообразном), жидком (расплавы и растворы) и газообразном состояниях.

  Известны следующие методы выращивания М. из расплава: а) Стокбаргера; б) Чохральского; в) Вернейля; г) зонной плавки . В методе Стокбаргера тигель с расплавом 1 перемещают вдоль печи 3 в вертикальном направлении со скоростью 1—20 мм/ч (рис. 1 ). температура в плоскости диафрагмы 6 поддерживается равной температуре кристаллизации вещества. Т. к. тигель имеет коническое дно, то при его медленном опускании расплав в конусе оказывается при температуре ниже температуры кристаллизации, и в нём происходит образование (зарождение) мельчайших кристалликов, из которых в дальнейшем благодаря геометрическому отбору выживает лишь один. Отбор связан главным образом с анизотропией скоростей роста граней М. Этот метод широко используется в промышленном производстве крупных М. флюорита, фтористого лития, сернистого кадмия и др.

  В методе Чохральского М. медленно вытягивается из расплава (рис. 2 ). Скорость вытягивания 1—20 мм/ч. Метод позволяет получать М. заданной кристаллографической ориентации. Метод Чохральского применяется при выращивании М. иттриево-алюминиевого граната, ниобата лития и полупроводниковых М. А. В. Степанов создал на основе этого метода способ для выращивания М. с сечением заданной формы, который используется для производства полупроводниковых М.